જ્યારે $\nu$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ સામગ્રી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા $E$ છે. જો આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $3\nu$ હોય,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા કેટલી હશે?

બે ધાતુઓના વર્ક ફંક્શનનો ગુણોત્તર $1:2$ છે. જો તેમના પર અનુક્રમે $f$ અને $2f$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો થશે?

જ્યારે કોઈ ધાતુની સપાટી પર ચોક્કસ આવૃત્તિનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે તેમાંથી ઉત્સર્જિત થતા ઇલેક્ટ્રોનને $3 \ V$ ના રિટાર્ડિંગ પોટેન્શિયલ દ્વારા સંપૂર્ણપણે અટકાવવામાં આવે છે. આ ધાતુની સપાટી પર ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર $6 \times 10^{14} \ s^{-1}$ ની આવૃત્તિએ શરૂ થાય છે. આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $s^{-1}$ માં કેટલી હશે? [પ્લાન્કનો અચળાંક $= 6.4 \times 10^{-34} \ J \cdot s$,ઇલેક્ટ્રોન પરનો વીજભાર $= 1.6 \times 10^{-19} \ C$]

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે,ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $E_k$ ને આપાત ફોટોનની આવૃત્તિ $\nu$ ની વિરુદ્ધ આલેખવામાં આવે છે,જે આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. આ વક્રનો ઢાળ શું આપે છે?

સિલ્વરની ફોટોઈલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $3250 \times 10^{-10} \, m$ છે. $2536 \times 10^{-10} \, m$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ દ્વારા સિલ્વરની સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનનો વેગ કેટલો હશે? (આપેલ છે: $h = 4.14 \times 10^{-15} \, eV \cdot s$ અને $c = 3 \times 10^8 \, m/s$)

જ્યારે કોઈ ધાતુની સપાટી પર ધાતુના વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કરતા બમણી અને ત્રણ ગણી ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન એક પછી એક આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ અનુક્રમે $v_1$ અને $v_2$ છે. તો ગુણોત્તર $v_1: v_2$ કેટલો થાય?