બે ધાતુઓના વર્ક ફંક્શનનો ગુણોત્તર $1:2$ છે. જો તેમના પર અનુક્રમે $f$ અને $2f$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો થશે?

પ્રકાશ તરંગ સાથે સંકળાયેલ બિંદુ પર વિદ્યુતક્ષેત્ર $E = 200 [\sin(6 \times 10^{15} t) + \sin(9 \times 10^{15} t)] \, Vm^{-1}$ દ્વારા આપવામાં આવે છે. આપેલ છે: $h = 4.14 \times 10^{-15} \, eVs$. જો આ પ્રકાશ $2.50 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર પડે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ........... $eV$ હશે.

એક ચોક્કસ ધાતુ માટે, જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઇ ધરાવતો એકવર્ણી પ્રકાશ આપાત થાય છે, ત્યારે ફોટોઇલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $3V_0$ છે. જ્યારે તે જ ધાતુ પર $2\lambda$ તરંગલંબાઇ ધરાવતો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે, ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ થાય છે. આપેલ ધાતુ માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $\alpha\lambda$ છે. $\alpha$ નું મૂલ્ય . . . . . . છે.

$\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થતા ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે?
જ્યાં $h =$ પ્લાન્કનો અચળાંક, $m =$ ઈલેક્ટ્રોનનું દળ અને $c =$ પ્રકાશની ઝડપ.

જ્યારે ધાતુની સપાટીને $\lambda$ તરંગલંબાઈના વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. જો તે જ સપાટીને $3\lambda$ તરંગલંબાઈના વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $\frac{V}{6}$ થાય છે. સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

$600 \, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશના સંપર્કમાં રહેલી એક ધાતુને ધ્યાનમાં લો. જ્યારે $400 \, nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ વાપરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા બમણી થાય છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $eV$ માં શોધો.