એક ચોક્કસ ધાતુ માટે, જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઇ ધરાવતો એકવર્ણી પ્રકાશ આપાત થાય છે, ત્યારે ફોટોઇલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $3V_0$ છે. જ્યારે તે જ ધાતુ પર $2\lambda$ તરંગલંબાઇ ધરાવતો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે, ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ થાય છે. આપેલ ધાતુ માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $\alpha\lambda$ છે. $\alpha$ નું મૂલ્ય . . . . . . છે.

$K_1$ અને $K_2$ એ આપેલ પદાર્થની સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત થતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા છે, જે અનુક્રમે $\lambda_1$ અને $\lambda_2$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ માટે છે. જો $\lambda_1 = 2\lambda_2$ હોય, તો પદાર્થનું કાર્ય વિધેય (work function) શું હશે?

એક ધાતુની ફોટોઈલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $v$ છે. જ્યારે $4v$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ ધાતુ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે?

ધાતુની સપાટી પરથી આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિઓ $v_1$ અને $v_2$ $(v_1 > v_2)$ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન જોવા મળે છે. જો બંને કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર $1: n$ હોય,તો ધાતુની સપાટીની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

$hv$ ઉર્જા ધરાવતો એક ફોટોન એવી ધાતુના મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન દ્વારા શોષાય છે જેનું વર્ક ફંક્શન $\phi < hv$ છે.

$400 \ nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી તરંગોનું વિકિરણ $Zn$,$Fe$ અને $Ni$ ધાતુઓની સપાટી પર આપાત થાય છે,જેમના કાર્ય વિધેય (work functions) અનુક્રમે $3.4 \ eV$,$4.8 \ eV$ અને $5.9 \ eV$ છે. ($hc = 1242 \ eV \ nm$ લો)
$(a)$ કોઈપણ ધાતુની સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $(KE)$ $0.3 \ eV$ છે.
$(b)$ $Ni$ ની સપાટીમાંથી કોઈ ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થતા નથી.
$(c)$ જો વિકિરણ સ્ત્રોતની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની $KE$ પણ બમણી થઈ જાય છે.
$(d)$ જો આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $200 \ nm$ કરતા ઓછી હોય,તો ત્રણેય ધાતુઓની સપાટીમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થશે.
સાચા વિધાનો છે: