ધાતુની સપાટી દ્વારા ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $v$ છે. ફોટોઇલેક્ટ્રોનનો વિદ્યુતભાર અને દળ અનુક્રમે $e$ અને $m$ છે. વોલ્ટમાં સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,ધાતુ પર આપાત થતા પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $300\, nm$ થી બદલીને $400\, nm$ કરવામાં આવે છે. સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ઘટાડો આશરે ................ $V$ છે $\left( \frac{hc}{e} = 1240\, nm \cdot V \right)$

$1.13 eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $310 nm$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે. ફોટોઇલેક્ટ્રોનને ઉત્સર્જિત થતા અટકાવવા માટે જરૂરી રિટાર્ડિંગ પોટેન્શિયલ (સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ) કેટલું હશે ($V$ માં)? [$hc = 1240 eV \cdot nm$ લો]

એક પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થ માટે, વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) $W_0$ છે અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઇ કેટલી હશે? ($h$ = પ્લાન્કનો અચળાંક, $c$ = પ્રકાશનો વેગ, $e$ = ઇલેક્ટ્રોનિક ચાર્જ)

એક ચોક્કસ પ્રયોગમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક કટ-ઓફ વોલ્ટેજ $1.5 \ V$ છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે?

$200 \ nm$ ની તરંગલંબાઈ ધરાવતો અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ લોખંડની તાજી પૉલિશ કરેલી સપાટી પર આપાત થાય છે. સપાટીનું વર્કફંકશન $4.71 \ eV$ છે. તો સ્ટૉપિંગ પોટૅન્શિયલ $eV$ માં કેટલું થશે? $(h = 6.626 \times 10^{-34} \ Js, 1 \ eV = 1.6 \times 10^{-19} \ J, c = 3 \times 10^8 \ m/s)$