$1.13 eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $310 nm$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે. ફોટોઇલેક્ટ્રોનને ઉત્સર્જિત થતા અટકાવવા માટે જરૂરી રિટાર્ડિંગ પોટેન્શિયલ (સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ) કેટલું હશે ($V$ માં)? [$hc = 1240 eV \cdot nm$ લો]

જો હાઇડ્રોજન પરમાણુમાં ઇલેક્ટ્રોન ત્રીજી બોહર કક્ષામાંથી સીધો ધરા સ્થિતિમાં કૂદકો મારે અને બંને અવસ્થાઓ વચ્ચેની ઉર્જાનો તફાવત ફોટોન સ્વરૂપે ઉત્સર્જિત થાય છે. જો પદાર્થનું કાર્ય વિધેય $4.1 \text{ eV}$ હોય, તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ આશરે કેટલું હશે ($\text{ V}$ માં)?
$\left[n^{\text{મી}} \text{ કક્ષામાં ઇલેક્ટ્રોનની ઉર્જા} = \frac{-13.6}{n^2} \text{ eV}\right]$

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $\lambda$ છે. જો આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ ઘટાડીને પ્રારંભિક મૂલ્યના $\frac{1}{3}$ કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા અગાઉના મૂલ્ય કરતાં $n$ ગણી જોવા મળે છે. તો ધાતુની પ્લેટ માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

જ્યારે એક પ્રકાશસંવેદી ધાતુની સપાટીને $\lambda_1$ તરંગલંબાઈના વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_1$ છે. જો તે જ સપાટીને $3\lambda_1$ તરંગલંબાઈના વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $\frac{V_1}{6}$ થાય છે. પ્રકાશસંવેદી ધાતુની સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

જ્યારે $\nu$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ સામગ્રી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા $E$ છે. જો આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $3\nu$ હોય,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા કેટલી હશે?

વિધાન $1$ : જ્યારે પારજાંબલી પ્રકાશ ફોટોસેલ પર આપાત થાય છે, ત્યારે તેનો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ છે અને ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $K_{max}$ છે. જ્યારે પારજાંબલી પ્રકાશને બદલે $X$-કિરણોનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે, ત્યારે $V_0$ અને $K_{max}$ બંને વધે છે.
વિધાન $2$ : ફોટોઈલેક્ટ્રોન $0$ થી મહત્તમ મૂલ્ય સુધીની ઝડપની રેન્જ સાથે ઉત્સર્જિત થાય છે કારણ કે આપાત પ્રકાશમાં આવૃત્તિઓની રેન્જ હોય છે.