એક ચોક્કસ પ્રયોગમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક કટ-ઓફ વોલ્ટેજ $1.5 \; V$ છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી છે?

ધાતુ પરથી ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક અસર માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $200 \ nm$ છે. જ્યારે $100 \ nm$ તરંગલંબાઈનું વિકિરણ ધાતુ પર આપાત થાય ત્યારે ઉત્સર્જાતા ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા .......... $eV$ હશે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરને કોના દ્વારા સમજાવી શકાય છે?

એક ધાતુની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $F_0$ છે. જ્યારે $2F_0$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ ધાતુની પ્લેટ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $V_1$ છે. જ્યારે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ વધારીને $5F_0$ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $V_2$ છે. $V_1$ અને $V_2$ નો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

એક ધાતુની સપાટીને પહેલા $\lambda_1 = 350 \ nm$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે અને ત્યારબાદ $\lambda_2 = 540 \ nm$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. એવું જોવા મળે છે કે બંને કિસ્સાઓમાં ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ $2$ ના ગુણાંકમાં અલગ પડે છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન ($eV$ માં) આશરે કેટલું હશે? (ફોટોનની ઉર્જા $= \frac{1240}{\lambda \text{ (} nm \text{ માં)}} \ eV$)

જો એક ફોટોસેલને $1240 \, Å$ ના વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે, તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $8 \, V$ મળે છે; તો ઉત્સર્જકનું વર્ક ફંક્શન અને થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ શોધો.