अवक्षय परत (depletion layer) में विभव प्राचीर | vedclass

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Question

(A) $P-N$ जंक्शन में,जब $P$-प्रकार और $N$-प्रकार के अर्धचालकों को जोड़ा जाता है,तो इलेक्ट्रॉन $N$-पक्ष से $P$-पक्ष की ओर और होल $P$-पक्ष से $N$-पक्ष क

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आयन

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(A) $P-N$ जंक्शन में,जब $P$-प्रकार और $N$-प्रकार के अर्धचालकों को जोड़ा जाता है,तो इलेक्ट्रॉन $N$-पक्ष से $P$-पक्ष की ओर और होल $P$-पक्ष से $N$-पक्ष की ओर विसरित (diffuse) होते हैं।यह विसरण $N$-पक्ष पर अचल आयनित दाता परमाणुओं (धनात्मक आयन) और $P$-पक्ष पर अचल आयनित ग्राही परमाणुओं (ऋणात्मक आयन) को पीछे छोड़ देता है।ये अचल आयन जंक्शन के आर-पार एक विद्युत क्षेत्र बनाते हैं,जो एक विभव प्राचीर के रूप में कार्य करता है।इसलिए,अवक्षय परत में विभव प्राचीर इन स्थिर आयनों की उपस्थिति के कारण होता है।

अवक्षय परत (depletion layer) में विभव प्राचीर (potential barrier) किसके कारण होता है?

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दी गई आकृति में $A$ और $B$ के बीच विभवांतर :-............. $V$ है।

एक अनबायस्ड $n-p$ जंक्शन में,इलेक्ट्रॉन $n-$ क्षेत्र से $p-$ क्षेत्र में विसरित (diffuse) होते हैं क्योंकि

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