$1.24 eV$ કાર્ય વિધેય ધરાવતી લક્ષ્ય સામગ્રી પર $4.36 \times 10^{-7} m$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન અટકાવવા માટે જરૂરી રિટાર્ડિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે ($eV$ માં)?

એક ફોટોસેલ $100 \ W$ ના મરક્યુરી સ્ત્રોત દ્વારા પ્રકાશિત થાય છે. તે $2271 \ \mathring A$ તરંગલંબાઇનો પારજાંબલી પ્રકાશ ઉત્સર્જિત કરે છે. જો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.3 \ V$ હોય,તો ધાતુનું કાર્ય વિધેય $eV$ માં શોધો.

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈના એકવર્ણી પ્રકાશ સાથે ચોક્કસ ધાતુની સપાટીને પ્રકાશિત કરવામાં આવે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ માટેનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $6V_0$ છે. જ્યારે આ જ સપાટીને $2\lambda$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ સાથે પ્રકાશિત કરવામાં આવે ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $2V_0$ છે. આ સપાટી માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી છે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,$\lambda$ અને $\frac{\lambda}{2}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા આપાત પ્રકાશ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ અનુક્રમે $V_{1}$ અને $V_{2}$ માપવામાં આવ્યું હતું. $V_{1}$ અને $V_{2}$ વચ્ચેનો સંબંધ શું છે?

એક ફોટો-એમિસિવ સેલમાં,ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ $\lambda$ માટે,ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $K$ છે. જો ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{3\lambda}{4}$ કરવામાં આવે,તો સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા કેટલી હશે?

$1.07 eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $332 nm$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે. ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનને ઉત્સર્જન કરતા અટકાવવા માટે જરૂરી રિટાર્ડિંગ પોટેન્શિયલ (સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ) .............. $V$ છે.