ફોટોસેલમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ એ:

થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કરતા ઓછી તરંગલંબાઈ '$\lambda$' ધરાવતો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ પર આપાત થાય છે. જો આપાત તરંગલંબાઈ ઘટાડવામાં આવે જેથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોન અમુક વેગ સાથે ગતિ કરતા હોય, તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ:

$4.25\, eV$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન જ્યારે ધાતુ $A$ ની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $T_A\, eV$ અને ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ${\lambda _A}$ છે. $4.70\, eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન દ્વારા બીજી ધાતુ $B$ માંથી મુક્ત થતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ${T_B} = ({T_A} - 1.50)\, eV$ છે. જો આ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ${\lambda _B} = 2{\lambda _A}$ હોય,તો:

ધાતુઓ $A$, $B$ અને $C$ માટે વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $1.92 eV$, $2.0 eV$ અને $5 eV$ છે. $4100 Å$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા આપાત વિકિરણ માટે કઈ ધાતુ(ઓ) ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરશે? $[h=6.63 \times 10^{-34} J s, e=1.6 \times 10^{-19} C, c=3 \times 10^8 m/s]$.

થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કરતા $2$ ગણી આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ પર આપાત થાય છે. જો આપાત આવૃત્તિને $\left(\frac{1}{3}\right)^{\text{rd}}$ કરવામાં આવે અને તીવ્રતા બમણી કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ

સોડિયમ અને કોપરના વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $2.3 \ eV$ અને $4.5 \ eV$ છે. તો તેમની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇનો ગુણોત્તર કોની નજીક છે?