થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કરતા $2$ ગણી આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ પર આપાત થાય છે. જો આપાત આવૃત્તિને $\left(\frac{1}{3}\right)^{\text{rd}}$ કરવામાં આવે અને તીવ્રતા બમણી કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ

$hv$ ઉર્જા ધરાવતો એક ફોટોન એવી ધાતુના મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન દ્વારા શોષાય છે જેનું વર્ક ફંક્શન $\phi < hv$ છે.

જ્યારે પ્રકાશ સંવેદી સપાટી પર પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સપાટી પરથી ઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થાય છે. આ ઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઊર્જા શેના પર આધાર રાખતી નથી?

એક ફોટો-એમિસિવ પદાર્થને $\lambda_i$ તરંગલંબાઈના વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે જેથી તે $\lambda_c$ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોન મુક્ત કરે છે. ફોટોઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરી શકે તેવા વિકિરણની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ $\lambda_0$ છે. ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ માટેનું સૂત્ર શું છે? ($m$: ઇલેક્ટ્રોનનું દળ,$h$: પ્લાન્કનો અચળાંક અને $c$: પ્રકાશની ઝડપ).

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર વિશે સાચું/સાચા વિધાન/વિધાનો શોધો.

જ્યારે $v$ અને $\frac{v}{2}$ આવૃત્તિ ધરાવતા બે એકવર્ણી પ્રકાશ એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક ધાતુ પર આપાત થાય છે,ત્યારે તેમના સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ અનુક્રમે $\frac{V_{s}}{2}$ અને $V_{s}$ થાય છે. આ ધાતુ માટે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?