$p-n$ जंक्शन डायोड में अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई:

  • A
    रिवर्स बायस द्वारा बढ़ जाती है
  • B
    फॉरवर्ड बायस द्वारा बढ़ जाती है
  • C
    रिवर्स बायस द्वारा घट जाती है
  • D
    बायस वोल्टेज से स्वतंत्र है

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$P-N$ जंक्शन डायोड में रिवर्स बायस को एक बड़े मान तक बढ़ाने पर,धारा

दिए गए चित्र के लिए,जब आदर्श डायोड $D$ फॉरवर्ड बायस में होता है,तो बिंदुओं $A$ और $B$ के बीच प्रतिरोध $R_1$ है और जब यह रिवर्स बायस में होता है,तो प्रतिरोध $R_2$ है। अनुपात $R_1: R_2$ है

जब एक $p-n$ जंक्शन पर फॉरवर्ड बायस लगाया जाता है,तो यह $\qquad$ .

डायनेमिक रेजिस्टेंस (गतिक प्रतिरोध) का सूत्र और परिभाषा लिखिए तथा फॉरवर्ड बायस और रिवर्स बायस के लिए इनके अनुमानित मान भी बताइए।

एक $p-n$ जंक्शन डायोड फॉरवर्ड बायस में $20 \, mA$ तक की धारा सहन कर सकता है। डायोड के सिरों पर विभवांतर $0.5 \, V$ है, जिसे धारा से स्वतंत्र माना गया है। जब $125 \, \Omega$ का प्रतिरोध इसके साथ श्रेणीक्रम में जोड़ा जाता है, तो डायोड को फॉरवर्ड बायस करने के लिए उपयोग की जाने वाली बैटरी का अधिकतम वोल्टेज क्या होगा ($V$ में)?

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