दिए गए परिपथ में दो आदर्श डायोड एक बैटरी से जुड़े हैं। बैटरी द्वारा आपूर्ति की गई धारा है: ($A$ में)

एक $p-n$ जंक्शन डायोड में,गर्म होने के कारण तापमान में परिवर्तन

चित्र में दिखाए गए जर्मेनियम जंक्शन डायोड का $V-I$ अभिलक्षण वक्र है,तो इसका प्रतिरोध ........ $k\Omega$ है $(V_k = 0.3 \, V)$।

एक अर्धचालक (semiconductor) प्रबल विद्युत धारा के कारण क्षतिग्रस्त हो जाता है,इसका कारण है:

यदि एक $p-n$ जंक्शन डायोड में,चित्रानुसार $10\, V$ ($+5\, V$ से $-5\, V$ तक बदलने वाला) का एक वर्गाकार इनपुट सिग्नल लगाया जाता है,तो $R_L$ के सिरों पर आउटपुट सिग्नल क्या होगा?

$p-n$ जंक्शन के लिए,विद्युत क्षेत्र की तीव्रता $1 \times 10^{6} \text{ V/m}$ है और अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई $5000 \text{ Å}$ है। विभव प्राचीर (potential barrier) का मान $\dots \text{ V}$ है।