दिए गए परिपथ में दो आदर्श डायोड एक बैटरी से जुड़े हैं। बैटरी द्वारा आपूर्ति की गई धारा है

$p-n$ जंक्शन डायोड में अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई में वृद्धि का कारण है

क्या हम $p-$प्रकार के अर्धचालक के एक स्लैब को दूसरे $n-$प्रकार के अर्धचालक के साथ भौतिक रूप से जोड़कर $p-n$ जंक्शन प्राप्त कर सकते हैं?

$PN$-जंक्शन डायोड में $27^\circ C$ पर रिवर्स सैचुरेशन करंट ${10^{-5}} \ A$ है। $0.2 \ V$ के वोल्टेज के लिए फॉरवर्ड करंट की गणना करें। दिया गया है: $[\exp(7.62) = 2038.6, \ k_B = 1.4 \times {10^{-23}} \ J/K, \ e = 1.6 \times {10^{-19}} \ C]$.

$P-N$ जंक्शन पर फॉरवर्ड बायस लगाने से

यदि एक $p-n$ जंक्शन पर विभव प्राचीर (potential barrier) $0.6\,V$ है,तो $6 \times 10^{-6}\,m$ चौड़ाई वाले अवक्षय क्षेत्र (depletion region) में विद्युत क्षेत्र की तीव्रता $......\times 10^{5}\,N/C$ होगी।