એક ધાતુની સપાટી પર ધાતુના વર્ક ફંક્શન કરતાં બમણી અને ત્રણ ગણી ઉર્જા ધરાવતા બે ફોટોન આપાત થાય છે. તો,બંને કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

એક ધાતુની સપાટી પર આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિઓ $\nu_1$ અને $\nu_2$ $(\nu_1 > \nu_2)$ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન જોવા મળે છે. જો પ્રથમ કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો બીજા કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથેનો ગુણોત્તર $3 : K$ હોય, તો ધાતુની સપાટીની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

જ્યારે કોઈ ચોક્કસ ધાતુની સપાટીને $v$ આવૃત્તિના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ માટેનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ છે. જ્યારે તે જ સપાટીને $\frac{v}{2}$ આવૃત્તિના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $\frac{V_0}{4}$ થાય છે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

$6.6 \text{eV}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ માટે, આપાત વિકિરણની નીચેનામાંથી કઈ તરંગલંબાઇ ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર ઉત્પન્ન કરતી નથી ($\text{nm}$ માં)? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.6 \times 10^{-34} \text{J s}$ અને પ્રકાશની ગતિ $c = 3 \times 10^8 \text{m/s}$ લો)

ફોટોસેલમાં આપાત તરંગલંબાઈ $\lambda$ છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ $u$ છે. જો આપાત તરંગલંબાઈ બદલીને $3\lambda / 4$ કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ કેટલી હશે?

હાઇડ્રોજનથી ભરેલી ડિસ્ચાર્જ ટ્યુબમાંથી આવતો પ્રકાશ ફોટોઇલેક્ટ્રિક સેલના કેથોડ પર પડે છે. કેથોડની સપાટીનું વર્ક ફંક્શન $4 \ eV$ છે. કેથોડની સાપેક્ષમાં એનોડ વોલ્ટેજ (વોલ્ટમાં) નું નીચેનામાંથી કયું મૂલ્ય ફોટોકરન્ટને શૂન્ય બનાવશે?