$300 \ nm$ તરંગલંબાઈ અને $1.0 \ W/m^2$ તીવ્રતા ધરાવતો અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થની સપાટી પર પડે છે. જો આપાત ફોટોનમાંથી $1\%$ ફોટોઇલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરે,તો સપાટીના $1.0 \ cm^2$ ક્ષેત્રફળમાંથી ઉત્સર્જિત થતા ફોટોઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા આશરે કેટલી હશે?

  • A
    $9.61 \times 10^{14} \text{ પ્રતિ સેકન્ડ}$
  • B
    $4.12 \times 10^{13} \text{ પ્રતિ સેકન્ડ}$
  • C
    $1.51 \times 10^{12} \text{ પ્રતિ સેકન્ડ}$
  • D
    $2.13 \times 10^{11} \text{ પ્રતિ સેકન્ડ}$

Explore More

Similar Questions

એક પદાર્થનું કાર્ય વિધેય (work function) $4.0 \,eV$ છે. આ પદાર્થમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જન કરી શકે તેવી પ્રકાશની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ આશરે ......... $nm$ છે.

એક ધાતુની સપાટીને આપેલ તીવ્રતા અને આવૃત્તિના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે, જેના કારણે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન થાય છે. જો આપાત પ્રકાશની તીવ્રતા તેના મૂળ મૂલ્યના $1/4$ ભાગ જેટલી ઘટાડવામાં આવે, તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઊર્જા કેટલી હશે?

સિલ્વર માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $\lambda_{0}$ છે. $\lambda$ $(\lambda < \lambda_{0})$ જેટલી આપાત તરંગલંબાઈ દ્વારા સિલ્વરની સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની ઉર્જા કેટલી હશે?

એક ફોટો-એમિસિવ સેલમાં ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ $\lambda$ હોય ત્યારે સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v$ છે. જો ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{3\lambda}{4}$ કરવામાં આવે,તો સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ કેટલી હશે?

એક અલગ ધાતુના ગોળાને $4\,eV$ ફોટોન ઉર્જા ધરાવતા પ્રકાશ દ્વારા પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $2\,eV$ હોય,તો ગોળાનું લઘુત્તમ પોટેન્શિયલ કેટલું હોવું જોઈએ જેથી કોઈ ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત ન થાય? ................ $V$.

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo