$0.7 \ eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા પદાર્થમાં ઇલેક્ટ્રોન-હોલ જોડી બનાવવા માટે જરૂરી વિદ્યુતચુંબકીય વિકિરણની મહત્તમ તરંગલંબાઇ કેટલી હશે? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 4.136 \times 10^{-15} \ eV \cdot s$, પ્રકાશનો વેગ $c = 3 \times 10^8 \ m/s$).

  • A
    $1773 \times 10^{-8} \ m$
  • B
    $1773 \times 10^{-9} \ m$
  • C
    $1873 \times 10^{-9} \ m$
  • D
    $1873 \times 10^{-8} \ m$

Explore More

Similar Questions

અર્ધવાહકને ગરમ કરવાથી:

અર્ધવાહક (semiconductor) માટે નીચેનામાંથી કયા વિધાનો સાચા છે?
$(i)$ $0\, K$ તાપમાને કોઈ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન હોતા નથી.
$(ii)$ કોઈપણ તાપમાને મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન હોતા નથી.
$(iii)$ તાપમાન વધવાની સાથે મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા વધે છે.
$(iv)$ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા વાહક (conductor) કરતા ઓછી હોય છે.

એક ઘન પદાર્થ આપાત પ્રકાશનું પરાવર્તન કરે છે અને તેની વિદ્યુત વાહકતા તાપમાન સાથે ઘટે છે. આ ઘન પદાર્થમાં બંધન કેવું છે?

હીરા, સિલિકોન અને જર્મેનિયમ માટે વેલેન્સ બેન્ડ અને કન્ડક્શન બેન્ડ વચ્ચેના એનર્જી ગેપ $(E_g)$ નો ક્રમ કયો છે?

નીચેનામાંથી શેમાં આયનીય બંધ હાજર છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo