જ્યારે $Ge$ સ્ફટિકોમાં ફોસ્ફરસ પરમાણુઓનું ડોપિંગ કરવામાં આવે છે,ત્યારે તે શું બને છે?

જર્મેનિયમની ઇલેક્ટ્રોનિક ગોઠવણી $2, 8, 18, 4$ છે. તેને એક્સટ્રિન્સિક સેમિકન્ડક્ટર બનાવવા માટે તેમાં એન્ટિમનીની થોડી માત્રા ઉમેરવામાં આવે છે. પરિણામી પદાર્થનું સ્વરૂપ શું હશે?

આંતરિક અર્ધવાહકના રિકોમ્બિનેશન સહગુણક (recombination coefficient) ને સમજાવો અને સંબંધ $n_i^2 = n_e n_h$ મેળવો.

એક $P$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં એક્સેપ્ટર લેવલ વેલેન્સ બેન્ડની ઉપર $57 \; meV$ પર છે. હોલ બનાવવા માટે જરૂરી પ્રકાશની મહત્તમ તરંગલંબાઇ કેટલી હશે? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.6 \times 10^{-34} \; J \cdot s$, પ્રકાશની ગતિ $c = 3 \times 10^8 \; m/s$)

જો $n_e$ અને $v_d$ એ અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા અને ડ્રિફ્ટ વેગ હોય, તો તાપમાન વધારવામાં આવે ત્યારે શું થાય?

આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં કુલ પ્રવાહનું સૂત્ર લખો.