નીચેનામાંથી કઈ ઉર્જા બેન્ડ આકૃતિ $N$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરને દર્શાવે છે?

જ્યારે સેમિકન્ડક્ટરને ડોનર અશુદ્ધિ સાથે ડોપ કરવામાં આવે છે ત્યારે,

ઓરડાના તાપમાને આંતરિક $Ge$ ના નમૂનામાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $0.35 \, m^2/V-s$ અને $0.18 \, m^2/V-s$ છે. જો ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની ઘનતા દરેક $2.5 \times 10^{19} \, /m^3$ જેટલી હોય,તો $Ge$ ની વાહકતા.....$S/m$ થશે. ($.12$ માં)

ઓરડાના તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોનમાં હોલ અને મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા સંતુલન સ્થિતિમાં $1.4 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. જ્યારે તેને ઇન્ડિયમ સાથે ડોપ કરવામાં આવે છે અને હોલની સાંદ્રતા $n_{h} = 4 \times 10^{22} \ m^{-3}$ હોય,ત્યારે ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા કેટલી હશે?

જો $n_e$ અને $v_d$ એ અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા અને ડ્રિફ્ટ વેગ હોય, તો તાપમાન વધારવામાં આવે ત્યારે શું થાય?

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોનમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સમાન સાંદ્રતા $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. જો હોલની સાંદ્રતા વધીને $3 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય,તો સિલિકોનમાં ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા કેટલી હશે?