निम्नलिखित में से कौन सा अर्धचालक डायोड रिवर्स बायस में है?

$PN$-जंक्शन डायोड में $27^\circ C$ पर रिवर्स सैचुरेशन करंट ${10^{-5}} \ A$ है। $0.2 \ V$ के वोल्टेज के लिए फॉरवर्ड करंट की गणना करें। दिया गया है: $[\exp(7.62) = 2038.6, \ k_B = 1.4 \times {10^{-23}} \ J/K, \ e = 1.6 \times {10^{-19}} \ C]$.

$p-n$ जंक्शन का अवक्षय क्षेत्र (depletion region):

एक अर्धचालक (semiconductor) में बैंड गैप $0.6 eV$ है। इस अर्धचालक में होल-इलेक्ट्रॉन युग्म बनाने में सक्षम विद्युत चुम्बकीय विकिरण की अधिकतम तरंगदैर्ध्य कितनी होगी ($nm$ में)? [$hc = 1242 eV-nm$ का उपयोग करें]

जब एक सिलिकॉन $PN$ जंक्शन श्रेणी प्रतिरोध के साथ फॉरवर्ड बायस स्थिति में होता है,तो इसका नी वोल्टेज (knee voltage) $0.6\, V$ होता है। जब $PN$ जंक्शन को $2.6\, V$ की बैटरी से जोड़ा जाता है,तो इसमें प्रवाहित होने वाली धारा $5\, mA$ होती है। श्रेणी प्रतिरोध का मान.....$\Omega$ है।

दिए गए परिपथ में डायोड से होकर बहने वाली धारा का मान क्या है ($\text{ mA}$ में)?