निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है?
- Aशुद्ध $Ge$ में त्रिसंयोजी (trivalent) अशुद्धि मिलाने से $n$-प्रकार का अर्धचालक प्राप्त होता है।
- Bशुद्ध $Ge$ की प्रतिरोधकता तापमान के साथ बढ़ती है।
- C$p$-प्रकार के अर्धचालक में बहुसंख्यक वाहक (majority carriers) होल होते हैं।
- Dशुद्ध $Ge$ में पंचसंयोजी (pentavalent) अशुद्धि मिलाने से इसकी प्रतिरोधकता बढ़ जाती है।
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जब एक अर्धचालक में थोड़ी मात्रा में अशुद्धि परमाणु मिलाए जाते हैं,तो सामान्यतः इसकी प्रतिरोधकता:
मान लीजिए कि एक शुद्ध $Si$ क्रिस्टल में $5 \times 10^{28}$ परमाणु $m^{-3}$ हैं। इसे $1 \text{ ppm}$ सांद्रता वाले पंचसंयोजी $As$ के साथ डोप किया जाता है। इलेक्ट्रॉनों और होलों की संख्या की गणना करें। $(n_i = 1.5 \times 10^{16} \text{ m}^{-3})$
Difficult
View Solutionएक अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन और होल की गतिशीलता क्रमशः $\mu_{n}$ और $\mu_{p}$ है। यदि इसका आंतरिक वाहक घनत्व $n_{i}$ है,तो होल सांद्रता $p$ का वह मान क्या होगा जिसके लिए दिए गए तापमान पर चालकता न्यूनतम होगी?
DifficultAIIMS 2015
View Solutionएक आंतरिक (intrinsic) अर्धचालक के लिए, यदि $n_h$ और $n_e$ क्रमशः प्रति इकाई आयतन में होल्स की संख्या और प्रति इकाई आयतन में मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या को दर्शाते हैं, तो:
एक $P$-प्रकार के अर्धचालक में एक्सेप्टर स्तर वैलेंस बैंड से $57 \; meV$ ऊपर है। एक होल बनाने के लिए आवश्यक प्रकाश की अधिकतम तरंगदैर्ध्य क्या है? (प्लांक नियतांक $h = 6.6 \times 10^{-34} \; J \cdot s$, प्रकाश की गति $c = 3 \times 10^8 \; m/s$)
Medium
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