નીચેનામાંથી કયું રિવર્સ-બાયસ્ડ (reverse-biased) છે?

$P-N$ જંકશનનું ડેપ્લેશન સ્તર ....... નું બનેલું છે.

આપેલ પરિપથમાં બે આદર્શ ડાયોડ એક બેટરી સાથે જોડાયેલા છે. બેટરી દ્વારા પૂરો પાડવામાં આવતો પ્રવાહ કેટલો છે ($A$ માં)?

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ અને બીજાને કારણ $R$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A$: રિવર્સ-બાયસ સ્થિતિમાં ડાયોડ ખૂબ જ ઓછો પ્રવાહ આપે છે જે એક નિર્ણાયક મર્યાદા સુધી વોલ્ટેજથી લગભગ સ્વતંત્ર હોય છે, જેના પર પ્રવાહમાં તીવ્ર વધારો થાય છે.
કારણ $R$: નિર્ણાયક વોલ્ટેજ મર્યાદાની નીચે, માત્ર મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર્સ વહે છે જે નિર્ણાયક વોલ્ટેજની ઉપર તીવ્રતાથી વધે છે.

$p-n$ જંકશન વિસ્તારમાં ડેપ્લેશન લેયર (અવક્ષય સ્તર) શેના કારણે રચાય છે?

$Ge$ ની ફોરબિડન એનર્જી ગેપ $0.75 \ eV$ છે. $Ge$ અર્ધવાહકમાં ઈલેક્ટ્રોન-હોલ જોડકું ઉત્પન્ન કરવા માટે આપાત ફોટોન રેડિએશનની મહત્તમ તરંગલંબાઈ ........... $\mathring{A}$ હોવી જોઈએ.