મહત્તમ ગતિઊર્જા $(E)$ અને આપાત પ્રકાશની તીવ્રતા $(I)$ વચ્ચેની રેખાઓ $P, Q, R$ અને $S$ દર્શાવતા નીચેના ચાર આલેખમાંથી કયો સાચો છે?

જ્યારે $\nu_0$ થ્રેસોલ્ડ આવૃત્તિ ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $4\nu_0$ આવૃત્તિવાળો પ્રકાશ આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે?

ધારો કે $v_1$ અને $v_2$ એ ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ છે જ્યારે ધાતુની સપાટીને અનુક્રમે $E_1 = 4 \text{ eV}$ અને $E_2 = 2.5 \text{ eV}$ ઊર્જા ધરાવતા પ્રકાશના તરંગો વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $2 \text{ eV}$ હોય,તો ગુણોત્તર $\frac{v_1}{v_2}$ કેટલો થાય?

જો એક ધાતુની સપાટીને ક્રમશઃ $\lambda_1 = 350 \, nm$ અને $\lambda_2 = 450 \, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણો સાથે ખુલ્લી મૂકવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $2$ ના ગુણાંકમાં અલગ પડે છે. આ ધાતુનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે?

$\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશનો સ્ત્રોત એક ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે અને $2 \ \text{eV}$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથે ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો તે જ સપાટી પર $\frac{\lambda}{2}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશનો સ્ત્રોત આપાત કરવામાં આવે, તો ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે ($\text{eV}$ માં)? (ધાતુનું કાર્ય વિધેય $1 \ \text{eV}$ છે.)

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતું વિકિરણ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $4.8 \ V$ છે. જો તે જ સપાટીને બમણી તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.6 \ V$ થાય છે. તો સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?