$\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશનો સ્ત્રોત એક ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે અને $2 \ \text{eV}$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથે ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો તે જ સપાટી પર $\frac{\lambda}{2}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશનો સ્ત્રોત આપાત કરવામાં આવે, તો ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે ($\text{eV}$ માં)? (ધાતુનું કાર્ય વિધેય $1 \ \text{eV}$ છે.)

  • A
    $2$
  • B
    $6$
  • C
    $5$
  • D
    $3$

Explore More

Similar Questions

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઇ ધરાવતું વિકિરણ ધાતુ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $4.8 \ V$ છે. જ્યારે સમાન ધાતુ પર $2\lambda$ તરંગલંબાઇ ધરાવતું વિકિરણ આપાત થાય છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.6 \ V$ છે. તો ધાતુની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ કેટલી હશે?

Difficult
View Solution

સિઝિયમની સપાટી પર $557 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પીળો પ્રકાશ આપાત થાય છે. જ્યારે કેથોડ-એનોડ વોલ્ટેજ $0.25 \ V$ થી ઘટી જાય ત્યારે પરિપથમાં કોઈ ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન વહન પામતા નથી. તો સિઝિયમની સપાટી માટે થ્રેસોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલા $nm$ હશે?

સિલ્વર અને સોડિયમનું કાર્ય વિધેય (work function) અનુક્રમે $4.6 \ eV$ અને $2.3 \ eV$ છે. સિલ્વર અને સોડિયમ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ વિરુદ્ધ આવૃત્તિના આલેખના ઢાળનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં $310 \,nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ વપરાય છે. પ્રયોગમાં $2.5 \,eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતા ધાતુના ઈલેક્ટ્રોડનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે ($V$ માં)? (ધારો કે $hc = 1240 \,eV-nm$)

ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં, અન્ય પરિબળોને અચળ રાખીને આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ વધારવામાં આવે છે $(f > f_0)$. તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo