કયું વિધાન સાચું છે? એક સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટર બેટરી સાથે જોડાયેલ છે. તેનો વિદ્યુતભાર,સ્થિતિમાન,વિદ્યુતક્ષેત્ર અને ઉર્જા અનુક્રમે ${Q_0}$,${V_0}$,${E_0}$ અને ${U_0}$ છે. પ્લેટો વચ્ચેની સંપૂર્ણ જગ્યા ભરવા માટે એક ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે,અને બેટરી હજુ પણ જોડાયેલ છે. હવે સંબંધિત મૂલ્યો $Q$,$V$,$E$ અને $U$ શરૂઆતના મૂલ્યો સાથે કેવી રીતે સંબંધિત છે?

બે સમાન સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરને $V$ e.m.f. ધરાવતી બેટરી સાથે શ્રેણીમાં જોડવામાં આવે છે. જો એક કેપેસિટરને $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પ્રવાહીમાં મૂકવામાં આવે,તો બીજા કેપેસિટર પરનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો થશે?

હવામાં પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $12 \mu F$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે અને પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં $4$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો પદાર્થ ભરવામાં આવે,તો કેપેસિટરનું નવું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે ($\mu F$ માં)?

$2C$ અને $C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા બે કેપેસિટરને સમાંતર જોડીને $V$ સ્થિતિમાન સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. ત્યારબાદ બેટરી દૂર કરવામાં આવે છે અને $C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા કેપેસિટરને $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમથી સંપૂર્ણપણે ભરવામાં આવે છે. બીજા કિસ્સામાં કેપેસિટર વચ્ચેનો સ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો હશે?

$C$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરમાં $A$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી બે પ્લેટો વચ્ચે $d$ અંતર છે. પ્લેટો વચ્ચેનો વિસ્તાર $N$ ડાયલેક્ટ્રિક સ્તરોથી ભરેલો છે,જે પ્લેટોને સમાંતર છે,દરેકની જાડાઈ $\delta = \frac{d}{N}$ છે. $m^{\text{th}}$ સ્તરનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $K_m = K(1 + \frac{m}{N})$ છે. ખૂબ મોટા $N (> 10^3)$ માટે,કેપેસીટન્સ $C = \alpha \left( \frac{K \varepsilon_0 A}{d \ln 2} \right)$ છે. $\alpha$ નું મૂલ્ય કેટલું હશે?
[$\varepsilon_0$ એ શૂન્યાવકાશની પરમિટિવિટી છે]

$9 \, nF$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા કેપેસીટરમાં $\varepsilon_{r} = 2.4$ ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ,ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ $20 \, MV/m$ અને પોટેન્શિયલ તફાવત $V = 20 \, V$ છે. પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ ....... $\times 10^{-4} \, m^{2}$ છે.