હવામાં પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $12 \mu F$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે અને પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં $4$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો પદાર્થ ભરવામાં આવે,તો કેપેસિટરનું નવું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે ($\mu F$ માં)?

$A$ ક્ષેત્રફળ અને $0.025 \mu F$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે,$A$ ક્ષેત્રફળ અને પ્લેટો વચ્ચેના અંતરના $1/3$ જેટલી જાડાઈ ધરાવતી ધાતુની પ્લેટ મૂકવામાં આવે છે. જો કેપેસિટરને $100 \ V$ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે,તો ધાતુની પ્લેટને કેપેસિટરમાંથી દૂર કરવા માટે કરવામાં આવેલ કાર્ય કેટલું હશે ($\mu J$ માં)?

સમાન કદની ચાર ધાતુની પ્લેટો $A, B, C$ અને $D$ જેની વચ્ચે સમાન અંતર છે,તેને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ ગોઠવવામાં આવી છે. $B, C$ અને $C, D$ ની વચ્ચે અનુક્રમે $2$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ મૂકવામાં આવ્યા છે. પ્લેટો $B$ અને $D$ ને એકબીજા સાથે જોડવામાં આવી છે. $A$ અને $C$ વચ્ચેનું અસરકારક કેપેસીટન્સ કેટલું હશે? (ધારો કે ડાયલેક્ટ્રિક વગર દરેક પ્લેટની જોડીનું કેપેસીટન્સ $C$ છે):

નીચે આપેલી આકૃતિમાં બે સમાન સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર દર્શાવેલ છે જે સ્વીચ $S$ બંધ રાખીને બેટરી સાથે જોડાયેલા છે. હવે સ્વીચ ખોલવામાં આવે છે અને બંને કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની ખાલી જગ્યામાં $K = 3$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું ડાયઇલેક્ટ્રિક ભરવામાં આવે છે. ડાયઇલેક્ટ્રિક દાખલ કર્યા પહેલા અને પછી બંને કેપેસિટરમાં સંગ્રહિત કુલ સ્થિત-વિદ્યુત ઉર્જાનો ગુણોત્તર શું હશે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે, પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યાને સંપૂર્ણપણે ભરવા માટે એક ડાયઇલેક્ટ્રિક પ્લેટ દાખલ કરવામાં આવે છે. કેપેસિટરને ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને પછી બેટરીથી ડિસ્કનેક્ટ કરવામાં આવે છે. ડાયઇલેક્ટ્રિક પ્લેટને ધીમે ધીમે પ્લેટોને સમાંતર કેપેસિટરની બહાર ખેંચવામાં આવે છે. પ્લેટો વચ્ચેના વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત $V$ અને બહાર ખેંચાયેલી ડાયઇલેક્ટ્રિક પ્લેટની લંબાઈ $x$ વચ્ચેનો આલેખ છે:

$A$ ક્ષેત્રફળ અને $d$ પ્લેટ અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ બે ડાયઇલેક્ટ્રિક્સથી ભરવામાં આવે છે. આ ગોઠવણીનું સમતુલ્ય કેપેસિટન્સ કેટલું છે?