$1\,T$ ના ચુંબકીય ક્ષેત્ર દ્વારા $1\,C$ ના વીજભારિત કણ પર,જે $5\,m/s$ ની ઝડપે ગતિ કરે છે,એક સેકન્ડમાં થયેલું કાર્ય ........$J$ છે.

એક ઇલેક્ટ્રોન પૂર્વ દિશામાં સમક્ષિતિજ ગતિ કરી રહ્યો છે. શિરોલંબ નીચેની દિશામાં રહેલું ચુંબકીય ક્ષેત્ર ઇલેક્ટ્રોન પર કઈ દિશામાં બળ લગાડે છે?

$q$ વિદ્યુતભાર અને $m$ દળ ધરાવતો એક વિદ્યુતભારિત કણ $V$ વોલ્ટના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા પ્રવેગિત થાય છે. તે $B$ જેટલા લંબચુંબકીય ક્ષેત્રમાં પ્રવેશ કરે છે. તો તેના વર્તુળાકાર પથની ત્રિજ્યા કેટલી હશે?

એક ઇલેક્ટ્રોન આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ ચાર્જ થયેલ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં પ્રવેશે છે. પ્લેટ પરની ચાર્જ ઘનતા $\sigma$ છે. પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં વિદ્યુત તીવ્રતા $E$ છે. તે જગ્યામાં $E$ ની દિશાને લંબરૂપે એક સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્ર $B$ પણ અસ્તિત્વ ધરાવે છે. ઇલેક્ટ્રોન $\vec{E}$ અને $\vec{B}$ બંનેને લંબ દિશામાં કોઈપણ ફેરફાર વગર ગતિ કરે છે. ઇલેક્ટ્રોન દ્વારા $\ell$ અંતર કાપવા માટે લાગતો સમય કેટલો હશે?

$10\,\mu C$ વિદ્યુતભાર અને $1\,\mu g$ દળ ધરાવતો એક કણ $0.1\, T$ ના સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં $10\, cm$ ત્રિજ્યાના વર્તુળાકાર પથ પર ગતિ કરે છે. જ્યારે કણ બિંદુ $P$ પર હોય,ત્યારે તે વિસ્તારમાં એક સમાન વિદ્યુતક્ષેત્ર લાગુ કરવામાં આવે છે જેથી કણ અચળ ઝડપે સ્પર્શકની દિશામાં ગતિ કરે. વિદ્યુતક્ષેત્રનું મૂલ્ય......$V/m$ છે.

$1 \mu\text{C}$ નો વિદ્યુતભાર $\vec{v} = (\hat{i} - 2\hat{j} + 3\hat{k}) \text{ m/s}$ ના વેગથી ચુંબકીય ક્ષેત્ર $\vec{B} = (2\hat{i} + 3\hat{j} - 5\hat{k}) \text{ T}$ માં ગતિ કરે છે. તેના પર લાગતા બળનું મૂલ્ય $\sqrt{\alpha} \times 10^{-6} \text{ N}$ છે. $\alpha$ નું મૂલ્ય . . . . . . છે.