$300 \text{ K}$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન સ્ફટિકમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા $(n_i) = 10^{16} \text{ per m}^3$ છે. જો પ્રતિ ઘન મીટર $10^{21}$ ફોસ્ફરસના પરમાણુઓ $(n_D)$ ઉમેરવામાં આવે, તો સિલિકોન સ્ફટિકમાં નવી હોલ સાંદ્રતા કેટલી હશે?

  • A
    $10^{19} \text{ per m}^3$
  • B
    $10^{21} \text{ per m}^3$
  • C
    $10^5 \text{ per m}^3$
  • D
    $10^{11} \text{ per m}^3$

Explore More

Similar Questions

$P$ પ્રકારનો અર્ધવાહક તૈયાર કરવા માટે $Si$ ના નમૂનામાં ઇન્ડિયમ અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે. આ અર્ધવાહકમાં $Si$ ના $5 \times 10^7$ પરમાણુદીઠ ઇન્ડિયમનો એક પરમાણુ ઉમેરેલ છે. $Si$ ના નમૂનાની પરમાણુઘનતા $5 \times 10^{28} \text{ પરમાણુ/m}^3$ છે,તો સિલિકોનના $1 \text{ cm}^3$ ના સમઘનમાં એક્સેપ્ટરના કેટલા પરમાણુ હશે?

એક સેમિકન્ડક્ટર (અર્ધવાહક) માં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા સમાન $2 \times 10^8 \ m^{-3}$ છે. ચોક્કસ અશુદ્ધિ ઉમેરવાથી, ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા વધીને $4 \times 10^{10} \ m^{-3}$ થાય છે, તો સેમિકન્ડક્ટરની નવી હોલ સાંદ્રતા કેટલી હશે?

જ્યારે $Ge$ સ્ફટિકોમાં ફોસ્ફરસ પરમાણુઓનું ડોપિંગ કરવામાં આવે છે,ત્યારે તે શું બને છે?

જ્યારે અર્ધવાહકમાં અશુદ્ધિના પરમાણુઓની થોડી માત્રા ઉમેરવામાં આવે છે, ત્યારે સામાન્ય રીતે તેની અવરોધકતા:

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન ક્રિસ્ટલની વાહકતા કેટલી હશે? પ્રતિ $cm^3$ ઈલેક્ટ્રોન-હોલ જોડકાંની સંખ્યા $1.072 \times 10^{10}$ છે. આપેલ છે: $\mu_n = 1350 \ cm^2/V \cdot s$ અને $\mu_p = 480 \ cm^2/V \cdot s$.

Difficult
View Solution

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo