એક સમાંતર પ્લેટ હવા કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $10 \ \mu F$ છે. આકૃતિમાં દર્શાવ્યા પ્રમાણે,જો આ કેપેસિટરને બે સમાન ભાગોમાં વિભાજિત કરવામાં આવે અને આ ભાગોને $K_1 = 2$ અને $K_2 = 4$ ડાઈ-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમોથી ભરવામાં આવે,તો આ ગોઠવણીનું કેપેસિટન્સ ............. $\mu F$ થશે.

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે અને દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A$ છે. જ્યારે $k$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક અને $t$ $(t < d)$ જાડાઈ ધરાવતી પદાર્થની સ્લેબને પ્લેટો વચ્ચે મૂકવામાં આવે છે,ત્યારે તેનું કેપેસિટન્સ કેટલું થાય?

$12.5 \ pF$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરને તેની પ્લેટો વચ્ચે જોડેલી બેટરી દ્વારા $12.0 \ V$ ના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. હવે બેટરીને દૂર કરવામાં આવે છે અને પ્લેટો વચ્ચે ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ $(\epsilon_{r}=6)$ દાખલ કરવામાં આવે છે. ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કર્યા પછી તેની સ્થિતિ ઊર્જામાં થતો ફેરફાર . . . . . . $\times 10^{-12} \ J$ છે.

$40 \mu F$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર-પ્લેટ કેપેસિટરને $100 V$ ના પાવર સપ્લાય સાથે જોડવામાં આવે છે. હવે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં $K=2$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થને ભરવામાં આવે છે. ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થ દાખલ કરવાને કારણે,કેપેસિટરમાં વધારાનો વિદ્યુતભાર અને સ્થિત-વિદ્યુત ઉર્જામાં થતો ફેરફાર અનુક્રમે કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $0.01\, mm$ છે અને તે ઇન્સ્યુલેટર તરીકે ડાયઇલેક્ટ્રિક (જેની ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ $19\, kV/mm$ છે) નો ઉપયોગ કરે છે. કેપેસિટરના ટર્મિનલ્સ પર લગાવી શકાય તેવો મહત્તમ વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત......$V$ છે.

$C$ અને $nC$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા બે હવા-ભરેલા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર્સના સમાંતર જોડાણને $V$ વોલ્ટેજની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. જ્યારે કેપેસિટર્સ સંપૂર્ણપણે ચાર્જ થઈ જાય છે,ત્યારે બેટરી દૂર કરવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ પ્રથમ કેપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચે $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ મૂકવામાં આવે છે. સંયુક્ત સિસ્ટમનો નવો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો હશે?