ફોટો ઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહને શૂન્ય સુધી ઘટાડવા માટે જરૂરી સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ . . . . . .

નીચેની ધાતુઓ માટે વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) આપેલા છે:
$Na: 2.75\;eV; K: 2.30\;eV; Mo: 4.17\;eV; Ni: 5.15\;eV$. ફોટોસેલથી $1\;m$ દૂર રાખેલા $He-Cd$ લેસરની $3300\,\mathring{A}$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા વિકિરણ માટે આમાંથી કઈ ધાતુઓ ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન દર્શાવશે નહીં? જો લેસરને નજીક લાવીને $50\;cm$ દૂર રાખવામાં આવે તો શું થાય?

એક ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.3 \text{ eV}$ છે અને જ્યારે તેના પર ફોટોન આપાત થાય છે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $0.3 \text{ eV}$ છે. આપાત ફોટોનની તરંગલંબાઈ $\mathring A$ માં શોધો.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના અવલોકનોના સંદર્ભમાં,નીચે આપેલા વિધાનોમાંથી સાચા વિધાનો ઓળખો:
$A.$ ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો વર્ગ આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ સાથે રેખીય રીતે બદલાય છે.
$B.$ પ્રકાશના સ્ત્રોતને ધાતુની સપાટીથી દૂર લઈ જવાથી સેચ્યુરેશન પ્રવાહનું મૂલ્ય વધે છે.
$C.$ $LED$ (લાઈટ એમિટિંગ ડાયોડ) પ્રકાશ સ્ત્રોતની પાવર ઘટાડવાથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ઘટે છે.
$D.$ ધાતુની સપાટીમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ત્વરિત ઉત્સર્જન પ્રકાશ/વિદ્યુતચુંબકીય તરંગોના કણ સ્વરૂપ દ્વારા સમજાવી શકાતું નથી.
$E.$ થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈનું અસ્તિત્વ પ્રકાશ/વિદ્યુતચુંબકીય તરંગોના તરંગ સ્વરૂપ દ્વારા સમજાવી શકાતું નથી.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:

ટંગસ્ટન પર સિઝિયમની બનેલી ફોટો સંવેદી સપાટીને નિયોન બલ્બમાંથી $640.2 \ nm$ $(1 \ nm = 10^{-9} \ m)$ તરંગલંબાઈના એકવર્ણી વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. માપવામાં આવેલ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.54 \ V$ છે. જો આ સ્ત્રોતને બદલીને સમાન ફોટોસેલ પર $427.2 \ nm$ ની રેખા વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો નવું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલા $V$ હશે?

$10.5 \ eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોનનો બીમ એક ધાતુની પ્લેટ પર આપાત થાય છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોન $1.6 \times 10^6 \ m \ s^{-1}$ ના મહત્તમ વેગ સાથે ઉત્સર્જિત થાય છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે ($eV$ માં)? (ઈલેક્ટ્રોનનું દળ $= 9 \times 10^{-31} \ kg$ અને ઈલેક્ટ્રોનનો વીજભાર $= 1.6 \times 10^{-19} \ C$ લો).