જો $6600 \ \mathring A$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ $2 \ eV$ કાર્યવિધેય ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય,તો ઉત્સર્જાતા ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે?

$1.24 eV$ કાર્ય વિધેય ધરાવતી લક્ષ્ય સામગ્રી પર $4.36 \times 10^{-7} m$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન અટકાવવા માટે જરૂરી રિટાર્ડિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે ($eV$ માં)?

સોડિયમ અને તાંબાનું કાર્ય વિધેય (work function) અનુક્રમે $2.3 \ eV$ અને $4.5 \ eV$ છે. તેમની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈઓનો ગુણોત્તર આશરે ....... છે.

જ્યારે પ્રકાશનો ફોટોન ધાતુની સપાટી સાથે અથડાય છે, ત્યારે બહાર આવતા ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા (જો કોઈ હોય તો) કેટલી હોય છે?

$E$ ઊર્જા ધરાવતો એક ફોટોન $W_0$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પરથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. જો આ ઈલેક્ટ્રોન $B$ ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં ક્ષેત્રને લંબ દિશામાં દાખલ થાય અને $r$ ત્રિજ્યાનો વર્તુળાકાર માર્ગ બનાવે,તો ત્રિજ્યાનું સૂત્ર શું હશે?

એક ધાતુની સપાટીને $248 \ nm$ અને $310 \ nm$ એમ બે અલગ-અલગ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. આ તરંગલંબાઈઓને અનુરૂપ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ અનુક્રમે $u_1$ અને $u_2$ છે. જો ગુણોત્તર $u_1: u_2 = 2: 1$ હોય અને $hc = 1240 \ eV \ nm$ હોય,તો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન આશરે કેટલું હશે ($eV$ માં)?