સોડિયમ અને તાંબાનું કાર્ય વિધેય (work function) અનુક્રમે $2.3 \ eV$ અને $4.5 \ eV$ છે. તેમની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈઓનો ગુણોત્તર આશરે ....... છે.

જ્યારે કોઈ ચોક્કસ ધાતુની સપાટીને $v$ આવૃત્તિના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ માટેનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ છે. જ્યારે તે જ સપાટીને $\frac{v}{2}$ આવૃત્તિના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $\frac{V_0}{4}$ થાય છે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

વિધાન : જો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) ઓછું હોય તો તેની ફોટોસેન્સિટિવિટી વધારે હોય છે.
કારણ : વર્ક ફંક્શન $= hf_0$ જ્યાં $f_0$ એ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ છે.

બે અલગ-અલગ પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થો કે જેમના વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $\phi$ અને $2 \phi$ છે,તેમને ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરવા માટે પૂરતી ઊર્જા ધરાવતા પ્રકાશથી પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો આ બે પદાર્થો માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_s)$ વિરુદ્ધ આવૃત્તિ $(\nu)$ નો આલેખ દોરવામાં આવે,તો આ બે પદાર્થો માટે આલેખના ઢાળનો ગુણોત્તર શું હશે?

એક ચોક્કસ પ્રયોગમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક કટ-ઓફ વોલ્ટેજ $1.5 \; V$ છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી છે?

ચોક્કસ ધાતુમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર ઉત્પન્ન કરી શકે તેવી વિકિરણની મહત્તમ તરંગલંબાઈ $200 \ nm$ છે. $100 \ nm$ તરંગલંબાઈના વિકિરણને કારણે ઈલેક્ટ્રોન દ્વારા મેળવેલી મહત્તમ ગતિઊર્જા .............. $eV$ હશે.