ચોક્કસ ધાતુમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર ઉત્પન્ન કરી શકે તેવી વિકિરણની મહત્તમ તરંગલંબાઈ $200 \ nm$ છે. $100 \ nm$ તરંગલંબાઈના વિકિરણને કારણે ઈલેક્ટ્રોન દ્વારા મેળવેલી મહત્તમ ગતિઊર્જા .............. $eV$ હશે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં જો પ્રકાશની તીવ્રતા બમણી કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી થશે?

જ્યારે $\lambda_1$ અને $\lambda_2$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા અનુક્રમે $K_1$ અને $K_2$ છે. જો $\lambda_1 = 3 \lambda_2$ હોય,તો:

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ તરીકે અને બીજાને કારણ $R$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A$ : પ્રકાશની આવૃત્તિ વધવાથી ફોટોનની સંખ્યા વધે છે.
કારણ $R$ : ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ સાથે વધે છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો:

જ્યારે $4900 Å$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ ધાતુ પર પડે છે, ત્યારે ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે $2 \,V$ ના નેગેટિવ પોટેન્શિયલની જરૂર પડે છે. તો, ધાતુનું વર્ક-ફંક્શન આશરે કેટલું હશે ($eV$ માં)? (આપેલ છે: ઇલેક્ટ્રોન પરનો વીજભાર $= 1.602 \times 10^{-19} C$ અને પ્લાન્કનો અચળાંક $= 6.625 \times 10^{-34} Js$)

નીચેના આલેખો આપેલ ધાતુ માટે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(f)$ ને અનુરૂપ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_s)$ માં થતો ફેરફાર દર્શાવે છે. સાચો ફેરફાર કયા આલેખમાં દર્શાવેલ છે ($f_0 =$ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ):