શૂન્ય ફોટોઇલેક્ટ્રિક પ્રવાહ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ (સ્થિતિમાન):

ધાતુની સપાટી પરથી આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિઓ $v_1$ અને $v_2$ $(v_1 > v_2)$ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન જોવા મળે છે. જો બંને કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર $1: n$ હોય,તો ધાતુની સપાટીની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

એક ધાતુની સપાટી પર $4500 \; \mathring A$ તરંગલંબાઈ ધરાવતું વિકિરણ આપાત કરવામાં આવે છે. ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોન $2 \; mT$ ના અચળ ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં $90^{\circ}$ ના ખૂણે દાખલ થાય છે. જો તે $2 \; mm$ ત્રિજ્યાના વર્તુળાકાર માર્ગમાં ગતિ કરવાનું શરૂ કરે,તો ધાતુનું કાર્ય વિધેય આશરે ............. $eV$ હશે.

સૂર્યની છબી $30 \ cm$ કેન્દ્રલંબાઈ ધરાવતા લેન્સ દ્વારા ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલની ધાતુની સપાટી પર બનાવવામાં આવે છે અને ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ $I$ ઉત્પન્ન થાય છે. છબી બનાવતા લેન્સને સમાન વ્યાસ પરંતુ $15 \ cm$ કેન્દ્રલંબાઈ ધરાવતા બીજા લેન્સ દ્વારા બદલવામાં આવે છે. આ કિસ્સામાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ કેટલો હશે?

જો સોડિયમ માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $5420 \mathring{A}$ હોય,તો સોડિયમનું વર્ક ફંક્શન ............ $eV$ છે.

જ્યારે આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $500 \,nm$ થી બદલીને બીજી તરંગલંબાઈ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જામાં $0.52 eV$ નો વધારો થાય છે. નવી તરંગલંબાઈ આશરે કેટલી હશે ($\,nm$ માં)?