જ્યારે એકવર્ણી પ્રકાશનો બિંદુવત સ્ત્રોત ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલથી $0.2 \ m$ ના અંતરે હોય,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ અને સંતૃપ્ત ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ અનુક્રમે $0.6 \ V$ અને $18 \ mA$ છે. જો તે જ સ્ત્રોતને ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલથી $0.6 \ m$ દૂર મૂકવામાં આવે,તો:

  • A
    સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.2 \ V$ થશે.
  • B
    સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.6 \ V$ રહેશે.
  • C
    સંતૃપ્ત પ્રવાહ $2 \ mA$ થશે.
  • D
    સંતૃપ્ત પ્રવાહ $18 \ mA$ રહેશે.

Explore More

Similar Questions

ફોટોઇલેક્ટ્રિક સેલ માટે આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $(\nu)$ સાથે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ ના ફેરફારને દર્શાવતો આલેખ કયો છે?

ટંગસ્ટન અને સોડિયમ માટે વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $4.5 \text{ eV}$ અને $2.3 \text{ eV}$ છે. જો સોડિયમ માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $\lambda_0$ એ $5460 \text{ \AA}$ હોય, તો ટંગસ્ટન માટે $\lambda_0$ નું મૂલ્ય ............ $\text{ \AA}$ છે.

ધાતુની સપાટી $400 \ nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. બહાર આવતા ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઊર્જા $1.68 \ eV$ માલૂમ પડે છે. તો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) ......... $eV$ છે. $(hc = 1240 \ eV \cdot nm)$

Difficult
View Solution

એક ધાતુની સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) $5.01 \, eV$ છે. જ્યારે તેના પર $2000 \, \mathring{A}$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત થાય છે ત્યારે ફોટો-ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. સૌથી ઝડપી ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે લાગુ પાડવો પડતો પોટેન્શિયલ તફાવત ............... $volt$ છે $[h = 4.14 \times 10^{-15} \, eV \cdot s]$

Difficult
View Solution

જો ફોટોસેલથી $0.2 \ m$ અંતરે રાખેલા ઉદ્ગમ દ્વારા ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ $0.6 \ V$ હોય,તો તે જ ઉદ્ગમને $0.6 \ m$ અંતરે રાખતા ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ .......... $V$ થશે.

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo