जब एकवर्णी प्रकाश का एक बिंदु स्रोत एक फोटोइलेक्ट्रिक सेल से $0.2 \ m$ की दूरी पर होता है,तो स्टॉपिंग पोटेंशियल और संतृप्त फोटोइलेक्ट्रिक धारा क्रमशः $0.6 \ V$ और $18 \ mA$ होती है। यदि उसी स्रोत को फोटोइलेक्ट्रिक सेल से $0.6 \ m$ दूर रखा जाए,तो:

$v$ आवृत्ति का प्रकाश $v_0$ देहली आवृत्ति वाली सामग्री पर गिरता है। उत्सर्जित इलेक्ट्रॉन की अधिकतम गतिज ऊर्जा किसके समानुपाती होती है?

$331 \text{ nm}$ तरंगदैर्ध्य वाले प्रकाश स्रोत का उपयोग फोटो-इलेक्ट्रॉन उत्पन्न करने के लिए किया जाता है, जिनका निरोधी विभव (stopping potential) $0.2 \text{ V}$ है। प्रयोग में प्रयुक्त धातु का कार्य फलन (work function) $\alpha \times 10^{-19} \text{ J}$ है। $\alpha$ का मान . . . . . . है। ($h = 6.62 \times 10^{-34} \text{ J s}$, $e = 1.6 \times 10^{-19} \text{ C}$ और $c = 3 \times 10^8 \text{ m/s}$) ($.68$ में)

$V$ (निरोधी विभव) को $\frac{1}{\lambda}$ के विरुद्ध आलेखित किया गया है,जहाँ $\lambda$ आपतित विकिरण की तरंगदैर्ध्य है,दो धातुओं के लिए।

यह मानते हुए कि प्रकाश-उत्सर्जन (photoemission) हो रहा है,वह कारक क्या है जिससे उत्सर्जित प्रकाश-इलेक्ट्रॉनों का अधिकतम वेग बदल जाता है जब आपतित विकिरण की तरंग दैर्ध्य को चार गुना बढ़ा दिया जाता है?

स्टॉपिंग पोटेंशियल $(V_0)$ के बारे में निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य नहीं है?