એક ધાતુની સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) $5.01 \, eV$ છે. જ્યારે તેના પર $2000 \, \mathring{A}$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત થાય છે ત્યારે ફોટો-ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. સૌથી ઝડપી ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે લાગુ પાડવો પડતો પોટેન્શિયલ તફાવત ............... $volt$ છે $[h = 4.14 \times 10^{-15} \, eV \cdot s]$

  • A
    $1.2$
  • B
    $2.24$
  • C
    $3.6$
  • D
    $4.8$

Explore More

Similar Questions

$1 \; eV$ અને $2.5 \; eV$ ઉર્જા ધરાવતા બે ફોટોન વિકિરણો ક્રમશઃ $0.5 \; eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી પ્રકાશસંવેદી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

જો ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલમાં આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $4000 \mathring A$ થી બદલીને $3000 \mathring A$ કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ફેરફાર ..... $V$ હશે.

ધાતુની વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કરતા બમણી અને પાંચ ગણી ઉર્જા ધરાવતા બે ફોટોન ક્રમશઃ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. આ બે કિસ્સાઓમાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

ટંગસ્ટનમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $400 \ nm$ છે. $0.9 \ eV$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા ધરાવતા ઈલેક્ટ્રોનને ઉત્સર્જિત કરવા માટે કઈ તરંગલંબાઈના પ્રકાશનો ઉપયોગ કરવો જોઈએ? .............. $nm$.

એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ માટે,વર્ક ફંક્શન $W_0$ છે અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ કેટલી હશે? ($h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c=$ પ્રકાશનો વેગ,$e=$ ઇલેક્ટ્રોનિક ચાર્જ)

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo