$C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા કેપેસિટરને $V \, \text{volt}$ ની બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. હવે,બેટરીને જોડેલી રાખીને તેમાં $\epsilon_r$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે,તો:

$C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરને $V$ emf ધરાવતા સેલ સાથે જોડવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ તેને દૂર કરવામાં આવે છે. હવે તેમાં $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે,જે કેપેસિટરની હવાના ગાળાને સંપૂર્ણપણે ભરી શકે છે. નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

એક હવાના કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $1 \mu F$ છે. હવે કેપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યાને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ બે ડાયલેક્ટ્રિક્સ વડે ભરવામાં આવે છે. તો કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે ($\mu F$ માં)? [$d=$ કેપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર,$K_1$ અને $K_2$ એ અનુક્રમે પ્રથમ અને બીજા ડાયલેક્ટ્રિકના ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંકો છે]

ડાયલેક્ટ્રિક વગર સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ $10\,\mu F$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેના અડધા અંતરને ભરવા માટે $K = 2$ અચળાંક ધરાવતા ડાયલેક્ટ્રિકનો ઉપયોગ કરવામાં આવે,તો નવી કેપેસિટન્સ $\mu F$ માં કેટલી થશે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરના કેપેસિટન્સ પર ડાયઇલેક્ટ્રિકની અસર સમજાવો અને ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંકનું સૂત્ર મેળવો.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને ચાર્જ કરીને પછી અલગ કરવામાં આવે છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર વધારવામાં આવે,તો નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું નથી?