एक लाइट एमिटिंग डायोड $(LED)$ को $GaAs$ अर्धचालक सामग्री का उपयोग करके बनाया गया है, जिसका बैंड गैप $1.42 \,eV$ है। $LED$ से उत्सर्जित प्रकाश की तरंगदैर्ध्य क्या है ($\,nm$ में)?

दिया गया ग्राफ एक अर्धचालक उपकरण के लिए $V-I$ अभिलक्षण को दर्शाता है। निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही है?

जब $LED$ का निर्माण एल्युमीनियम गैलियम आर्सेनाइड $(AlGaAs)$ का उपयोग करके किया जाता है,तो यह क्या उत्सर्जित करता है?

फोटोडायोड मुख्य रूप से रिवर्स बायस स्थिति में संचालित होते हैं क्योंकि

निम्नलिखित कथनों $A$ और $B$ पर विचार करें और सही उत्तर की पहचान करें:
$A$. सौर सेल के लिए,$I-V$ अभिलक्षण दिए गए ग्राफ के $IV$ चतुर्थांश में स्थित होते हैं।
$B$. एक रिवर्स बायस्ड $pn$ जंक्शन डायोड में,$(\mu A)$ में मापा गया करंट बहुसंख्यक आवेश वाहकों (majority charge carriers) के कारण होता है।

$LED$ को जिंक सेलेनाइड का उपयोग करके निर्मित किया जाता है,तो यह उत्सर्जित करता है: