दिया गया ग्राफ एक अर्धचालक उपकरण के लिए $V-I$ अभिलक्षण को दर्शाता है। निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही है?
- Aयह एक सौर सेल के लिए $V-I$ अभिलक्षण है जहाँ बिंदु $A$ ओपन सर्किट वोल्टेज और बिंदु $B$ शॉर्ट सर्किट करंट को दर्शाता है।
- Bयह एक सौर सेल के लिए है और बिंदु $A$ और $B$ क्रमशः ओपन सर्किट वोल्टेज और करंट को दर्शाते हैं।
- Cयह एक फोटोडायोड के लिए है और बिंदु $A$ और $B$ क्रमशः ओपन सर्किट वोल्टेज और करंट को दर्शाते हैं।
- Dयह एक $LED$ के लिए है और बिंदु $A$ और $B$ क्रमशः ओपन सर्किट वोल्टेज और शॉर्ट सर्किट करंट को दर्शाते हैं।
Explore More
Similar Questions
फोटोडायोड के बायसिंग वोल्टेज में वृद्धि के साथ,फोटोइलेक्ट्रिक धारा का परिमाण
Easy
View Solutionएक $p-n$ फोटोडायोड $2.0\, eV$ के बैंड गैप वाले पदार्थ से बना है। इस पदार्थ द्वारा अवशोषित की जा सकने वाली विकिरण की न्यूनतम आवृत्ति लगभग कितनी होगी?
कथन: रिवर्स बायस वाले $p-n$ जंक्शन का उपयोग प्रकाश की तीव्रता को मापने के लिए फोटो-डायोड के रूप में किया जा सकता है।
कारण: रिवर्स बायस स्थिति में धारा कम होती है लेकिन यह आपतित प्रकाश की तीव्रता में परिवर्तन के प्रति अधिक संवेदनशील होती है।
कारण: रिवर्स बायस स्थिति में धारा कम होती है लेकिन यह आपतित प्रकाश की तीव्रता में परिवर्तन के प्रति अधिक संवेदनशील होती है।
सौर सेल के लिए $Si$ और $GaAs$ को पसंदीदा सामग्री क्यों माना जाता है?
Medium
View Solutionएक ऐसी स्थिति पर विचार करें जिसमें एक विशिष्ट $P-N$ जंक्शन का रिवर्स बायस करंट तब बढ़ जाता है जब इसे $\lambda \le 621 \, nm$ तरंगदैर्ध्य के प्रकाश के संपर्क में लाया जाता है। इस प्रक्रिया के दौरान,होल-इलेक्ट्रॉन जोड़े के निर्माण के कारण वाहक सांद्रता में वृद्धि होती है। बैंड गैप का मान लगभग है ($eV$ में):
Vedclass Products
For Students
Vedclass Test Series
Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.
Start Free TrialFor Teachers
Exam Paper Generator
Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.
Try FreeFor Institutes
Online Exam Module
Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.
See Demo