આપેલ આલેખ એક સેમિકન્ડક્ટર ઉપકરણ માટે $V-I$ લાક્ષણિકતા દર્શાવે છે. નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?
- Aઆ સોલર સેલ માટેની $V-I$ લાક્ષણિકતા છે જ્યાં બિંદુ $A$ ઓપન સર્કિટ વોલ્ટેજ અને બિંદુ $B$ શોર્ટ સર્કિટ કરંટ દર્શાવે છે.
- Bઆ સોલર સેલ માટે છે અને બિંદુઓ $A$ અને $B$ અનુક્રમે ઓપન સર્કિટ વોલ્ટેજ અને કરંટ દર્શાવે છે.
- Cઆ ફોટોડાયોડ માટે છે અને બિંદુઓ $A$ અને $B$ અનુક્રમે ઓપન સર્કિટ વોલ્ટેજ અને કરંટ દર્શાવે છે.
- Dઆ $LED$ માટે છે અને બિંદુઓ $A$ અને $B$ અનુક્રમે ઓપન સર્કિટ વોલ્ટેજ અને શોર્ટ સર્કિટ કરંટ દર્શાવે છે.
Explore More
Similar Questions
નીચેનામાંથી કઈ અર્ધવાહક રચનાને કાર્યરત કરવા માટે રિવર્સ બાયસની જરૂર પડે છે?
Easy
View Solution$(i)$ આકૃતિ $(a)$ અને આકૃતિ $(b)$ માં દર્શાવેલ ડાયોડના પ્રકારના નામ આપો.
$(ii)$ આકૃતિ $(a)$ માં બિંદુ $P$ શું દર્શાવે છે?
$(iii)$ આકૃતિ $(b)$ માં બિંદુ $P$ અને $Q$ શું દર્શાવે છે?
$(ii)$ આકૃતિ $(a)$ માં બિંદુ $P$ શું દર્શાવે છે?
$(iii)$ આકૃતિ $(b)$ માં બિંદુ $P$ અને $Q$ શું દર્શાવે છે?
Medium
View Solutionફોટોડાયોડ માટે અલગ-અલગ પ્રકાશની તીવ્રતા $I_1, I_2, I_3$ અને $I_4$ માટે $I-V$ લાક્ષણિકતાઓ આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. તો નીચેનામાંથી કઈ મહત્તમ તીવ્રતા દર્શાવે છે?
$3.1 \,eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટરથી $p-n$ ફોટોડાયોડ બનાવવામાં આવે છે. નીચેનામાંથી કઈ તરંગલંબાઈ તેના દ્વારા શોધી શકાય છે?
Easy
View Solutionજાંબલી (તરંગલંબાઈ $= 4000 \, \mathring{A}$) $LED$ ઉત્પન્ન કરવા માટે જરૂરી અર્ધવાહક પદાર્થનો એનર્જી બેન્ડ ગેપ $....... \, \text{eV}$ છે. (નજીકના પૂર્ણાંકમાં રાઉન્ડ ઓફ કરો).
Vedclass Products
For Students
Vedclass Test Series
Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.
Start Free TrialFor Teachers
Exam Paper Generator
Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.
Try FreeFor Institutes
Online Exam Module
Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.
See Demo