ફોટોડાયોડ માટે અલગ-અલગ પ્રકાશની તીવ્રતા $I_1, I_2, I_3$ અને $I_4$ માટે $I-V$ લાક્ષણિકતાઓ આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. તો નીચેનામાંથી કઈ મહત્તમ તીવ્રતા દર્શાવે છે?

ત્રણ ફોટોડાયોડ $D_1, D_2,$ અને $D_3$ એવા સેમિકન્ડક્ટરના બનેલા છે જેમના બેન્ડ ગેપ અનુક્રમે $2.5 \ eV, 2 \ eV,$ અને $3 \ eV$ છે. આમાંથી કયા ફોટોડાયોડ $6000 \ \mathring{A}$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા પ્રકાશને શોધી શકશે?

$p-n$ ફોટોડાયોડ $2.0\, eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા પદાર્થમાંથી બનાવવામાં આવે છે. આ પદાર્થ દ્વારા શોષી શકાય તેવા વિકિરણની લઘુત્તમ આવૃત્તિ આશરે કેટલી હશે?

$LED$ બનાવવા માટે વપરાતા સેમિકન્ડક્ટરનો બેન્ડ ગેપ જણાવો.

ફોટોડાયોડનો ઉપયોગ ઓપ્ટિકલ સિગ્નલો શોધવા માટે થાય છે. આ ડાયોડને પ્રાધાન્ય રૂપે રિવર્સ બાયસ મોડમાં ચલાવવામાં આવે છે કારણ કે:

આપેલ આલેખ એક સેમિકન્ડક્ટર ઉપકરણ માટે $V-I$ લાક્ષણિકતા દર્શાવે છે. નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?