विभिन्न प्रदीप्ति तीव्रताओं $I_1, I_2, I_3$ और $I_4$ के लिए फोटोडायोड की $I-V$ विशेषताएँ चित्र में दिखाई गई हैं। तो इनमें से कौन सी अधिकतम तीव्रता को दर्शाती है?

यदि एक अर्धचालक फोटोडायोड $400\, nm$ की अधिकतम तरंगदैर्ध्य वाले फोटॉन का पता लगा सकता है, तो इसकी बैंड गैप ऊर्जा क्या होगी ($ eV$ में)? (दिया गया है: प्लांक नियतांक $h = 6.63 \times 10^{-34}\, J \cdot s$, प्रकाश की गति $c = 3 \times 10^{8}\, m/s$)

$1.4 \ eV$ के बैंड गैप वाले अर्धचालक (semiconductor) से एक $p-n$ फोटोडायोड बनाया गया है। यह किस तरंगदैर्ध्य के सिग्नल का पता लगा सकता है?

प्रकाश उत्सर्जक डायोड $(LED)$ में,प्रकाश का उत्सर्जन किसके कारण होता है?

सौर सेल के लिए उपयोग की जाने वाली सामग्री का बैंड गैप कितना होना चाहिए?

एक $LED$ को एक $pn$ जंक्शन से बनाया गया है जो एक निश्चित अर्धचालक पदार्थ पर आधारित है,जिसका ऊर्जा अंतराल (energy gap) $1.9 \ eV$ है। तो उत्सर्जित प्रकाश की तरंगदैर्ध्य क्या होगी?