એક સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $100\,\mu F$ છે. પ્લેટો એકબીજાથી $d$ અંતરે છે. જો $t$ જાડાઈ $(t < d)$ અને $5$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી સ્લેબને સમાંતર પ્લેટોની વચ્ચે મૂકવામાં આવે,તો નવું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?

$9 \, nF$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા કેપેસીટરમાં $\varepsilon_{r} = 2.4$ ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ,ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ $20 \, MV/m$ અને પોટેન્શિયલ તફાવત $V = 20 \, V$ છે. પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ ....... $\times 10^{-4} \, m^{2}$ છે.

એક સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ છે. જ્યારે તેને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $K = 5$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પદાર્થથી અડધું ભરવામાં આવે છે, ત્યારે કેપેસિટન્સમાં થતો ટકાવારી વધારો . . . . . . છે.

બે સમાન કેપેસિટર્સ $A$ અને $B$ પરિપથમાં દર્શાવ્યા મુજબ જોડાયેલા છે. શરૂઆતમાં સ્વીચ $S$ બંધ છે. હવે સ્વીચ ખોલવામાં આવે છે અને કેપેસિટર્સની પ્લેટો વચ્ચેની ખાલી જગ્યામાં $K = 3$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું ડાયઇલેક્ટ્રિક ભરવામાં આવે છે. ડાયઇલેક્ટ્રિક દાખલ કર્યા પહેલા અને પછી કેપેસિટર્સમાં સંગ્રહિત કુલ સ્થિત વિદ્યુત ઉર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

જ્યારે ચાર્જ થયેલા કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ દાખલ કરવામાં આવે છે,ત્યારે પ્લેટો વચ્ચેનું વિદ્યુતક્ષેત્ર:

એક હવાના કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $15\,\mu F$ છે અને સમાંતર પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $6\,mm$ છે. જો પ્લેટોની વચ્ચે $3\,mm$ જાડાઈની તાંબાની પ્લેટ સપ્રમાણ રીતે મૂકવામાં આવે,તો નવું કેપેસિટન્સ .........$\mu F$ થશે.