નીચે આપેલા સર્કિટમાં એક વેવફોર્મ લાગુ કરવામાં આવે છે। આદર્શ ડાયોડ અને ${R_1} = {R_2}$ ધારીને, નીચેનામાંથી કયો આઉટપુટ વેવફોર્મ ઉત્પન્ન થશે?

આકૃતિમાં $P-N$ જંકશન ડાયોડના $I-V$ લાક્ષણિકતા દર્શાવેલ છે. જ્યારે $1\;V$ નો ફોરવર્ડ બાયસ લાગુ કરવામાં આવે ત્યારે $P-N$ જંકશનનો આશરે ડાયનેમિક અવરોધ .......$\Omega$ છે.

જો $p-n$ જંકશન ડાયોડ રિવર્સ બાયસમાં હોય,તો:

$Ge$ અને $Si$ ડાયોડ અનુક્રમે $0.3\,V$ અને $0.7\,V$ પર વહન કરવાનું શરૂ કરે છે. નીચેની આકૃતિમાં,જો $Ge$ ડાયોડનું જોડાણ ઉલટાવવામાં આવે,તો $V_0$ ના મૂલ્યમાં કેટલો ફેરફાર થશે: ...... $V$ (ધારો કે $Ge$ ડાયોડ પાસે મોટો બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ છે).

શુદ્ધ જર્મેનિયમ ક્રિસ્ટલના વેફરના બે ભાગ $X$ અને $Y$ છે. છેડો $X$ આર્સેનિક સાથે ડોપિંગ કરીને અને $Y$ ઇન્ડિયમ સાથે ડોપિંગ કરીને મેળવવામાં આવે છે. તેને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

$P-N$ જંકશન વિસ્તારમાં ડેપ્લેશન લેયર (depletion layer) શેના કારણે રચાય છે?