$40 \, V$ ના કંપનવિસ્તાર અને $4 \, kHz$ ની આવૃત્તિ ધરાવતો એક ઓલ્ટરનેટિંગ વોલ્ટેજ $12 \, \mu F$ ના કેપેસિટરને સીધો લાગુ પાડવામાં આવે છે। કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે મહત્તમ સ્થાનાંતર પ્રવાહ (displacement current) આશરે કેટલો હશે ($ \, A$ માં)?

દર્શાવો કે ચાર્જિંગ દરમિયાન સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેના બિંદુએ ચુંબકીય ક્ષેત્ર $B = \frac{{\mu _0 \epsilon _0 r}}{2} \cdot \frac{{dE}}{{dt}}$ છે (જ્યાં સંજ્ઞાઓ તેમના સામાન્ય અર્થ ધરાવે છે).

$1 \ \mu F$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટો વચ્ચેનો વોલ્ટેજ $4 \ V/s$ ના દરે બદલાઈ રહ્યો છે. કેપેસીટરમાં સ્થાનાંતર પ્રવાહ (displacement current) કેટલો હશે ($\mu A$ માં)?

કેપેસિટર પરનો વિદ્યુતભાર સમય સાથે $q = q_0 \sin(2\pi nt)$ મુજબ બદલાય છે. કેપેસિટરના ડાયઇલેક્ટ્રિકમાં ઉત્પન્ન થતો સ્થાનાંતર પ્રવાહ કેટલો હશે?

$2.5 \mu \text{F}$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટો વચ્ચે સમય સાથે બદલાતો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત લાગુ પાડવામાં આવે છે. કેપેસીટરની પ્લેટો વચ્ચેના માધ્યમનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $1$ છે. તે કેપેસીટરની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં $0.25 \text{ mA}$ નો તત્કાલિન સ્થાનાંતર પ્રવાહ ઉત્પન્ન કરે છે. વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવતમાં થતા ફેરફારનો દર . . . . . . $\text{V s}^{-1}$ હશે.

$2 \ m^2$ ના ક્ષેત્રફળમાંથી પસાર થતું વિદ્યુતક્ષેત્ર સમય સાથે આલેખમાં દર્શાવ્યા મુજબ બદલાય છે. આ ક્ષેત્રફળમાંથી પસાર થતો મહત્તમ સ્થાનાંતર પ્રવાહ $t = ..... \ \mu s$ સમયે મળે છે.