પાંચ સમાન કેપેસિટર પ્લેટો,દરેકનું ક્ષેત્રફળ $A$ છે,એવી રીતે ગોઠવેલી છે કે જેથી નજીકની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ હોય. આ પ્લેટોને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $V$ $emf$ ના સ્ત્રોત સાથે જોડવામાં આવે છે. તો પ્લેટ $1$ અને $4$ પરનો વિદ્યુતભાર અનુક્રમે કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને બેટરી વડે ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ બેટરી દૂર કરવામાં આવે છે. જો અવાહક હેન્ડલની મદદથી પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર વધારવામાં આવે,તો:

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની નીચેની પ્લેટ એક સખત સળિયા પર ટેકવેલી છે. ઉપરની પ્લેટ ત્રાજવાના એક છેડેથી લટકાવેલી છે. બંને પ્લેટોને એક પાતળા તાર વડે જોડીને પછી અલગ કરવામાં આવે છે. ત્યારબાદ ત્રાજવાને સંતુલિત કરવામાં આવે છે. હવે પ્લેટો વચ્ચે $V = 5000 \, V$ વોલ્ટેજ લાગુ કરવામાં આવે છે. પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d = 5 \, mm$ છે અને દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A = 100 \, cm^2$ છે. સંતુલન જાળવવા માટે મૂકવામાં આવેલ વધારાનું દળ $m$ (ગ્રામમાં) શોધો. [પ્લેટો સિવાયના તમામ ઘટકો દળરહિત અને અવાહક છે. $\epsilon_0 = 8.85 \times 10^{-12} \, F/m$ અને $g = 9.8 \, m/s^2$ લો].

$a$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી ચાર સમાન પ્લેટો એકબીજાથી $d$ અંતરે રહેલી છે. જોડાણ નીચે મુજબ દર્શાવેલ છે. $P$ અને $Q$ વચ્ચેનું કેપેસિટન્સ કેટલું હશે?

$C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા એક અલગ કરેલા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં,ચાર સપાટીઓ પર આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $Q_1$,$Q_2$,$Q_3$ અને $Q_4$ વિદ્યુતભારો છે. પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની રચના કરવાની છે,જેમાં $5$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયઇલેક્ટ્રિકનો ઉપયોગ કરવામાં આવ્યો છે,જેથી તેની ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ $10^9 \; Vm^{-1}$ હોય. જો કેપેસિટરનું વોલ્ટેજ રેટિંગ $12 \; kV$ હોય,તો $80 \; pF$ કેપેસીટન્સ મેળવવા માટે દરેક પ્લેટનું લઘુત્તમ ક્ષેત્રફળ કેટલું હોવું જોઈએ?