यदि $p-n$ जंक्शन डायोड रिवर्स बायस में है,तो:

  • A
    विभव प्राचीर (potential barrier) घटता है।
  • B
    अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई घटती है।
  • C
    विद्युत चालन संभव है।
  • D
    अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई बढ़ती है।

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एक अर्धचालक डायोड में फॉरवर्ड वोल्टेज का मान $0.5 \ V$ से $0.7 \ V$ तक बढ़ाया जाता है। परिणामस्वरूप फॉरवर्ड धारा में $1 \ mA$ का परिवर्तन होता है,तो डायोड का फॉरवर्ड प्रतिरोध ....... $\Omega$ है।

परिपथ में धारा $i$ का मान क्या होगा?

चित्र में एक $P-N$ जंक्शन डायोड का $i-V$ अभिलक्षण दर्शाया गया है। जब $2 \; V$ का फॉरवर्ड बायस लगाया जाता है,तो $P-N$ जंक्शन का अनुमानित गतिक प्रतिरोध (dynamic resistance) ....... $\Omega$ है।

नीचे दो कथन दिए गए हैं:
$A$. जब एक $p-n$ जंक्शन डायोड पर फॉरवर्ड बायस वोल्टेज एक निश्चित थ्रेशोल्ड वोल्टेज से ऊपर बढ़ता है, तो डायोड करंट काफी बढ़ जाता है।
$B$. इस करंट को रिवर्स सैचुरेशन करंट कहा जाता है।
नीचे दिए गए विकल्पों में से सही उत्तर चुनें:

यदि सेल का आंतरिक प्रतिरोध नगण्य है,तो परिपथ में प्रवाहित होने वाली धारा है: ($A$ में)

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