જો $n_e$ અને $n_h$ એ બાહ્ય (extrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા હોય અને $n_i$ એ આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં વાહકની સાંદ્રતા હોય, તો:

એક આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરને નીચેનામાંથી કોના દ્વારા ડોપિંગ કરીને $N$-ટાઈપ બાહ્ય (extrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં રૂપાંતરિત કરવામાં આવે છે?

$n$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં,ઈલેક્ટ્રોન મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર્સ છે,પરંતુ તે કોઈ ઋણ વીજભાર દર્શાવતું નથી. તેનું કારણ શું છે?

જ્યારે $n$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરને ગરમ કરવામાં આવે છે, ત્યારે

સિલિકોનમાં ડોનર (દાતા) ની લાક્ષણિક આયનીકરણ ઉર્જા .....$eV$ છે.

$m^{3}$ દીઠ સિલિકોન પરમાણુઓની સંખ્યા $5 \times 10^{28}$ છે. આમાં $5 \times 10^{22}$ પરમાણુઓ પ્રતિ $m^{3}$ આર્સેનિક અને $5 \times 10^{20}$ પરમાણુઓ પ્રતિ $m^{3}$ ઇન્ડિયમનું એકસાથે ડોપિંગ કરવામાં આવે છે. ઇલેક્ટ્રોન અને હોલ્સની સંખ્યાની ગણતરી કરો. આપેલ છે કે $n_{i} = 1.5 \times 10^{16} \; m^{-3}$. શું આ પદાર્થ $n$-ટાઈપ છે કે $p$-ટાઈપ?