જો ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $6000 \, \mathring{A}$ થી ઘટાડીને $4000 \, \mathring{A}$ કરવામાં આવે,તો:

એક પદાર્થ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $5200 \, \mathring{A}$ છે. જ્યારે આ પદાર્થને નીચેનામાંથી કયા એકરંગી વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે ત્યારે ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થશે?

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $(A)$ તરીકે અને બીજાને કારણ $(R)$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $(A) :$ ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસરમાં ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન ફોટો-ઉત્સર્જક પદાર્થને પૂરતો ઋણ વિદ્યુત સ્થિતિમાન આપીને અટકાવી શકાય છે.
કારણ $(R) :$ ઋણ વિદ્યુત સ્થિતિમાન, જે ફોટો-ઉત્સર્જક પદાર્થની સપાટી પરથી ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન અટકાવે છે, તે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ સાથે રેખીય રીતે બદલાય છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં, નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો:

જ્યારે કોઈ ચોક્કસ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી લઘુત્તમ પોટેન્શિયલ $6.0 \ V$ છે. જો બીજા સ્ત્રોતનો ઉપયોગ કરવામાં આવે જેની તરંગલંબાઈ પ્રથમ કરતા ચાર ગણી અને તીવ્રતા પ્રથમ કરતા અડધી હોય,તો આ પોટેન્શિયલ ઘટીને $0.6 \ V$ થઈ જાય છે. પ્રથમ સ્ત્રોતની તરંગલંબાઈ અને ધાતુનું વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે કેટલું હશે? $\left[\text{લો } hc = 1.24 \times 10^{-6} \ eV \ m\right]$

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં જો પ્રકાશની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ

જ્યારે $v$ અને $\frac{v}{2}$ આવૃત્તિ ધરાવતા બે એકવર્ણી પ્રકાશ એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક ધાતુ પર આપાત થાય છે,ત્યારે તેમના સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ અનુક્રમે $\frac{V_{s}}{2}$ અને $V_{s}$ થાય છે. આ ધાતુ માટે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?