$p-$प्रकार के अर्धचालक में,बहुसंख्यक आवेश वाहक होते हैं

निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है?

जब एक अर्धचालक (semiconductor) को दाता अशुद्धि (donor impurity) के साथ डोप किया जाता है,

$300 \text{ K}$ तापमान पर एक शुद्ध सिलिकॉन क्रिस्टल में इलेक्ट्रॉन और होल की सांद्रता $(n_i) = 10^{16} \text{ per m}^3$ है। यदि प्रति घन मीटर $10^{21}$ फास्फोरस परमाणु $(n_D)$ मिलाए जाते हैं, तो सिलिकॉन क्रिस्टल में नई होल सांद्रता क्या होगी?

होल (Holes) किसमें आवेश वाहक होते हैं?

$N$-प्रकार के $Ge$ अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता $5000 \ cm^2/V \cdot s$ और चालकता $5 \ mho/cm$ है। यदि होल्स का प्रभाव नगण्य है,तो अशुद्धि परमाणुओं की सांद्रता क्या होगी?